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商品說明






創見 4GB DDR3 Memory 204Pin SO-DIMM DDR3-1600 Unbuffer Non-ECC Memory

產品型號: TS512MSK64W6H

小型機殼和輕薄筆電通常意味著擁擠的零件與有限的散熱空間。創見DDR3低電壓SO-DIMM記憶體使用1.35V超低額定電壓,不僅能減少熱能產生,還能降低整體能源消耗,是輕薄低功耗的mini-ITX系統與薄型省電筆記型電腦的最佳選擇。

DDR3為新一代記憶體規格,相較於DDR2之4位元預取緩衝架構,DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬;搭配雙核心或四核心的處理器,能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外,DDR3記憶體模組的工作電壓為1.5 伏特,相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言,能有效減低20%至30%的耗電量,並確保高速運算時的系統穩定度及效能。創見桌上型電腦專用的 DDR3-1066及DDR3-1333記憶體模組,目前分別推出 1GB及2GB兩種容量,消費者可依需求選購。

創見 DDR3-1066及DDR3-1333桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計,可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率;支援ODT(On-DIMM Termination)技術,可降低高速運作時記憶體訊號的回授,提高記憶體時脈的極限值。此外,其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面,均完全符合 JEDEC(the Joint Electron Device Engineering Council)的嚴格規範,可適用於嚴苛的工作環境,並避免雜訊干擾;搭載原廠128Mx8之FBGA記憶體晶片,可提供絕佳的電氣特性及散熱性,大幅提昇系統的整體效能。

產品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固





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商品規格

記憶體類型: DDR3 Memory
針腳及模組: 204Pin SO-DIMM
頻率: DDR3-1600
功能: Unbuffer Non-ECC Memory
容量: 4GB
顆粒: 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓: 1.35 V
CL值: 11



資料來源:創見

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同,以實際商品顏色為準
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下面附上一則新聞讓大家了解時事

9月開學季,就在各學校陸續舉行開學典禮時,台南一中歡樂地舉行頒獎典禮,原來是為了慶祝玩手遊獲得全國高中職第一的殊榮。9月開學第一天,同學們人手一瓶咖啡廣場慶祝勝利的滋味喝得好開心。

咖啡廣場在接近暑假期間,推出高中生限定的團戰校園手遊【校園戰爭:嗜弱者】,邀請高中生揪團來壯大自己,吃掉別校。把咖啡廣場變成自己學校的地盤,遊戲一上線,就引發全台各地高中生們揪團參戰,總計有90%以上的高中職參戰。

▲台南一中稱霸咖啡廣場,同學們開心留影。(圖/資料照片)

最終的勝利學校,由台南第一學府台南一中獲得,打破了會唸書的學生不太會玩的傳統刻板成見。「就是要讓別校見識到我們南一中超猛的團結力啊!」台南一中的同學們不約而同表示大家會約好時間一起上線,透過團體的力量,合力夾攻別校,甚至是透過在黑特版分享戰術來讓學校的積分快速上升。

「看到同學們為了贏得冠軍這麼團結一致,甚至還開RC群聊,我覺得他們真的是用腦袋在玩。」台南一中老師讚賞表示,雖然是遊戲,但滿具有正面的意義。

這個夏天,對南一中的同學們來說,喝咖啡廣場的滋味,是勝利的滋味。

▲對南一中同學來說,咖啡廣場的滋味就是勝利的滋味!(圖/資料照片)

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